Dienstag, 11.09.2012 12:30 - 14:00 III-V-based Materials 14:00 - 14:20 14:20 - 14:40 14:40 - 15:00 15:00 - 15:20 15:20 - 15:40 15:40 - 16:40 Insulators 16:40 - 17:00 17:00 - 17:20 17:20 - 17:40 17:40 - 18:00 18:30 ab 19:30 Mittwoch, 12.09.2012 08:30 Quantumwires 09:00 - 09:20 09:20 - 09:40 09:40 - 10:00 10:00 - 10:30 Group IV materials and new developments 10:30 - 10:50 10:50 - 11:10 11:10 - 11:30 11:30 - 11:50 12:00 - 13:00 Quantumdots 13:00 - 13:20 13:20 - 13:40 13:40 - 14:00 14:00 - 14:20 14:30 15:00-16:00 |
Registrierung, erstes Get-together, Beginn der Firmenausstellung Chair: T. Wietler H.J. Osten: Begrüßung und Einführung Anna Köninger, Walter Schottky Institut, TU München "Growth of broadband Distributed Bragg Reflectors (DBRs) using BaCaF2 and GaAs" Andreas Kraus, Institut für Angewandte Physik , TU Braunschweig "Double-pulsed growth of InN by RF-MBE" Eddy Patrick Rugeramigabo, Institut für Festkörperphysik, LUH "Sample quality analysis through magnetoresistance studies in MBE grown GaAs/AlGaAs heterostructures" Armando Rastelli, Johannes Kepler Universität, Linz "GaAs Quantenpunkte mit Leichtloch-Exziton als Grundzustand" Ausstellungsbesuch Chair: A. Fissel D. Schwendt, MBE, LUH "Spannungseffekte in dünnen, epitaktischen Seltene Erden-Oxiden" Gregor Mussler, Forschungszentrum Jülich, Peter Grünberg Institut "MBE-Wachstum topologischer Isolatoren" Svetlana Borisova, Forschungszentrum Jülich, Peter Grünberg Institut "Van der Waals Epitaxy of Thin Topological Insulator Bi2Te3 Films on Si Substrates" Annett Freese, NaMLab GmbH, Dresden "Molecular beam deposited Zirconiumdioxide on GaN and Si/TiN: A comparison" Bustransfer in die Stadt Gemeinsames Abendessen Beginn des zweiten Workshoptages Chair: L. Alff Torsten Rieger, Forschungszentrum Jülich, Peter Grünberg Institut "Wachstum von GaAs/InAs core-shell Nanodrähten" Klaus Biermann, Paul-Drude-Institut, Berlin "Vergrabene (In,Ga)As Quatendrähte in (113)A Mikroresonatoren" Andre Proessdorf, Paul-Drude-Institut Berlin "In-situ ARHEED studies of Sb nanowires on GaSb(111)A substrates" Kaffeepause und Ausstellung Chair: H. Riechert Lambert Alff, Institut für Materialwissenschaft, TU Darmstadt "Advanced reactive molecular beam epitaxy as design tool for complex materials" D. Tetzlaff, MBE, LUH "Untersuchung der Relaxation bei der Kohlenstoff-unterstützten Epitaxie von Ge auf Si" Lidia Tarnawska, IHP Frankfurt(Oder) "Virtual GaN substrate on Si(111) via novel oxide bi-layer approach" J. Krügener, Laboratorium für Informationstechnologie, LUH "MBE-Wachstum und Charakterisierung von Silizium mit modifizierter Kristallstruktur" Gemeinsames Mittagessen Chair: S. Schmult Christoph Denecke, Laboratório Nacional de Nanotecnologia (LNNano), Campinas (Brasilien) "Growth of InAs islands on free-standing Si membranes" Christian Heyn, Universität Hamburg "State of the art of GaAs quantum dot formation via local droplet etching." David Sonnenberg, Universität Hamburg "Filling of ultra-Iow density nanoholes to fabricate single and vertically coupled GaAs quantum dots" Abschlussbemerkungen und Einladung zum DMBE2013 Ende des Workshops Möglichkeit zur Besichtigung des MBE-Instituts und des LNQEs |
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